三星12层HBM3E或通过英伟达认证

景点排名 2025年09月20日 14:26 0 admin

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

这一认证对这家韩国科技巨头来说是一个重要里程碑。

据报道，三星在多次尝试失败后，最近通过了Nvidia对其第五代12层HBM3E产品的认证测试。虽然三星最初将成为Nvidia的第三家供应商，排在SK海力士(SK Hynix)和美光科技之后，供应量有限，但这一认证对这家韩国科技巨头来说是一个重要里程碑。

这一进展出现之际，三星似乎在满足Nvidia对下一代HBM4内存严格规格要求的竞争中占据优势。Nvidia要求供应商实现HBM4数据传输速度超过10千兆比特每秒，远高于当前行业标准的8 Gbps。据报道，三星已展示了11 Gbps的速度，超过了SK海力士的10 Gbps，而美光科技则难以满足这些要求。

三星计划本月向Nvidia大量出货HBM4样品，以获得早期认证。该公司已获得AMD的认证，并已向其出货HBM3E 12-High芯片。

富国银行(Wells Fargo)分析师Andrew Rocha指出，这一发展“对HBM定价可能是一个递增的负面因素”，特别是如果三星为了获得市场份额而折价销售其产品。Rocha补充说，随着美光科技股价现在接近170美元，“对下周公司即将发布的财报预期很高”。

尽管存在这些担忧，华尔街分析师仍对美光科技持乐观态度。TD Cowen分析师Krish Sankar将该股目标价从150美元上调至180美元，同时维持买入评级。

“我们认为美光股票将在短期内继续表现优异，因为市场调查继续支持这一势头，”Sankar指出。“通常，在周期的这一部分，更多强调的是ASP趋势，因为我们预计从这里开始不会有太多的倍数扩张，而是账面价值的持续增长。”

同样，Barclays分析师Tom O’Malley将目标价从140美元上调至175美元，同时维持对美光科技股票的增持评级。

摩根大通分析师Sandeep Deshpande将三星的认证视为“对半导体设备厂商的积极发展，特别是对欧洲的ASML，因为它使这家内存领导者在落后于SK海力士和美光科技后重返先进HBM竞争”。Deshpande指出，三星拥有可用的洁净室空间，使其能够快速安装设备以扩大生产规模。

此前报道称三星甚至将原本负责HBM4研发的团队也调配至HBM3E的生产优化，全力提升良率和产品稳定性。业内人士透露，三星不仅在优化HBM3E生产，还在加快高端DRAM产品的良率提升，以增强市场竞争力。

相较于三星，其竞争对手SK 海力士的HBM产品良率已维持在较高的水平。今年5月，SK海力士产量主管Kwon Jae-soon近日表示，该企业的HBM3E内存良率已接近80%。韩媒今年三月初称当时HBM内存的整体良率仅有 65% 左右。这样看来，SK 海力士近期在HBM3E内存工艺良率方面实现了明显改进。

Kwon Jae-soon也提到，SK海力士目前已将HBM3E的生产周期减少了 50%。更短的生产用时意味着更高的生产效率，可为英伟达等下游客户提供更充足的供应。

想来如今SK海力士的HBM产品良率已提升至新的台阶。

再看下一代HBM产品当前的竞争格局。本月，SK 海力士宣布已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM41的开发，并在全球首次构建了量产体系。

SK海力士表示：“公司成功开发将引领人工智能新时代的HBM4，并基于此技术成果，在全球首次构建了HBM4的量产体系。此举再次向全球市场彰显了公司在面向AI的存储器技术领域的领导地位。”

分析机构TrendForce 集邦咨询也表示，综合考虑合作关系、技术成熟度、可靠度、产能规模等因素，英伟达明年的最大HBM4 内存供应商地位仍将由 SK 海力士占据。

就近来有关“英伟达要求 Rubin GPU 上游组件供应商提高产品规格以提升相对 AMD MI450 Helios机架级 AI 系统的竞争力”的传闻，该机构认为如果英伟达最终要求内存企业供应更快的 10Gbps HBM4，则对在 HBM4 Base Die 中使用自家 4nm FinFET 先进工艺的三星电子最为有利。

当然，目前也无法排除英伟达因上游供应量过小或规格拉升过度推高能耗成本而放弃规格升级或仅在部分型号中导入更高规格组件的可能；此外也不排除英伟达在开放首批供应商认证后，为其它上游企业提供更多时间来完成第二阶段认证。

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