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2025-07-25 0
《科创板日报》7月25日讯(记者 陈俊清)今日(7月25日),最重磅科创盛会——“2025中国科创领袖大会暨科创板开市六周年”正式开幕。本届大会由上海报业集团指导,财联社、《科创板日报》、上海长三角G60科创集团联合主办。
作为此次大会的重要组成部分,“2025科创领袖大会暨集成电路产业发展闭门会”备受瞩目,上海工研院总经理董业民发表了主题为《建设“超越摩尔”集成电路产学研创新平台和生态》的演讲。
董业民表示,随着摩尔定律逼近物理极限,超越摩尔集成电路产学研的创新发展和生态建设愈发关键。
董业民提到,上海为打造科创中心,搭建了诸多共性技术研发平台。当前,上海集成电路发展呈“一体两翼” 格局,张江作为核心主体人才聚集、产业链完善,临港也在全市支持下大力发展半导体制造,而位于嘉定的研究院则专注于汽车电子、医疗电子等超越摩尔的集成电路领域。
谈及创新,董业民表示,陈吉宁书记特别强调全过程创新。“早期在政府支持下,依托大学和研究所,鼓励高水平的大学研究所进行自由探索。到了后期,走向产业化阶段,则主要依靠企业,包括领军型企业以及中小型创业企业。”
从全球范围看,董业民表示,我国创新的主体在企业,但当前创新人才大多集中在体制内,与企业创新主体存在错位现象。推动体制内人才流向企业,但实现这一目标并非易事。
在集成电路制造工艺方面,董业民表示,当前两纳米工艺已实现量产,但背后投入巨大。而在另一方面,约80%的应用领域,如电力、储能、光伏、新能源汽车等,所需产品仅需成熟特色工艺。
“多数情况下,除算力芯片外,45纳米、28纳米工艺基本能够满足需求。若将几颗芯片通过单芯片集成或异构封装,形成新的芯片、产品或系统,其性能将得到提升,如同遵循摩尔定律一般,这便是“超越摩尔”的发展方向。”董业民表示。
对此,董业民表示,目前,大学和研究所的很多研发平台采用的是四英寸和六英寸工艺,然而半导体制造主流却是12英寸和8英寸,而4-6英寸与8-12英寸工艺并不完全兼容。为解决这一问题,董业民认为,建立8英寸研发平台成为必要。
(科创板日报记者 陈俊清)
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