格力申请碳化硅半导体器件及其制备方法专利，解决现有技术中碳化硅器件沟道迁移率低的问题

今日快讯 2025年11月04日 08:33 7 aa

金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“碳化硅半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN120379313A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本申请提供了一种碳化硅半导体器件及其制备方法，器件包括：衬底；外延层；多个源区结构，间隔的位于外延层背离衬底的一侧；栅极结构，位于源区结构之间，栅极结构包括沿衬底的厚度方向依次层叠的第一半导体层、第二半导体层和栅极，第一半导体层和第二半导体层之间的界面处形成有二维电子气层，栅极位于第二半导体层背离衬底的一侧。解决了现有技术中碳化硅器件沟道迁移率低的问题。

天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目29次，专利信息145条，此外企业还拥有行政许可107个。

本文源自金融界