首页 十大品牌文章正文

罗姆申请SiC半导体装置专利,SiC半导体装置包括具有特定结构的SiC层及导电区域

十大品牌 2025年08月04日 21:26 0 aa

罗姆申请SiC半导体装置专利,SiC半导体装置包括具有特定结构的SiC层及导电区域

金融界2025年8月4日消息,国家知识产权局信息显示,罗姆股份有限公司申请一项名为“SiC半导体装置”的专利,公开号CN120419309A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,SiC半导体装置包括:第一导电型的第一SiC层,其具有沿层叠方向的第一轴通道;第一导电型的第二SiC层,其具有沿上述层叠方向的第二轴通道,且层叠在上述第一SiC层之上;第二导电型的第一区域,其在上述第一SiC层内沿上述第一轴通道延伸;以及第二导电型的第二区域,其在上述第二SiC层内沿上述第二轴通道延伸,且在上述层叠方向上与上述第一区域重叠。

本文源自金融界

发表评论

长征号 Copyright © 2013-2024 长征号. All Rights Reserved.  sitemap