重庆万国半导体取得深缓冲层高密度沟槽IGBT器件及制备方法专利

今日快讯 2025年08月05日 21:56 0 aa

金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，重庆万国半导体科技有限公司取得一项名为“一种深缓冲层高密度沟槽的IGBT器件及其制备方法”的专利，授权公告号CN115332329B，申请日期为2022年08月。

天眼查资料显示，重庆万国半导体科技有限公司，成立于2016年，位于重庆市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本46093.126499万美元。通过天眼查大数据分析，重庆万国半导体科技有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息147条，此外企业还拥有行政许可19个。

本文源自金融界