合肥晶合申请半导体器件结构制造方法及结构专利，有效提高半导体器件性能

今日新闻 2025年08月04日 13:01 0 aa

金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件结构的制造方法及半导体器件结构”的专利，公开号CN120417471A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体器件结构的制造方法及半导体器件结构，属于半导体制造技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在衬底上依次沉积栅极氧化层和高介电常数介电材料层；在高介电常数介电材料层上生成PMOS功函数层，该功函数层包括注入镓离子的覆盖层以及预设厚度的氧化镓薄膜；制备伪栅极结构，依次沉积接触蚀刻阻挡层和第零层间介质层并平坦化，该介质层包括硼含量不同的两层硼磷硅玻璃薄膜；依次进行伪栅极去除、金属填充及平坦化处理，形成具有集成金属栅极和源漏接触的半导体器件结构。本发明通过在PMOS区域引入镓离子和氧化镓薄膜，并采用双层不同硼含量的硼磷硅玻璃作为第零层间介质层，有效提高了半导体器件的性能和稳定性。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1185条，此外企业还拥有行政许可21个。

本文源自金融界