长鑫存储取得半导体结构制备相关专利

今日快讯 2025年08月23日 14:42 2 aa

金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，授权公告号CN115568211B，申请日期为2021年07月。

天眼查资料显示，长鑫存储技术有限公司，成立于2017年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2388760.15663万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫存储技术有限公司参与招投标项目386次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可55个。

本文源自金融界