扬眉吐气！国产DUV光刻机研制成功，各国反应：美韩荷兰都不笑了

今日快讯 2025年11月05日 21:06 3 aa

最近几年，半导体这块儿闹得沸沸扬扬，尤其是光刻机这种核心装备，一直是卡脖子的痛点。国内团队终于在DUV光刻机上搞出名堂了，上海微电子装备集团（简称SMEE）带头冲锋，研制出能干28纳米的浸没式设备。这事儿不是小打小闹，它直接关系到芯片产业链的自给自足。回想起来，从2002年SMEE成立开始，就在国家支持下一步步往前拱。起初他们从90纳米起步，慢慢积累经验，到2018年左右，90纳米的设备已经能批量供应给集成电路厂家，用在实际生产线上。那时候，国内光刻机水平还停留在低端，靠进口维持高端需求。

转折点在2020年5月，美国那边加码出口管制，高端设备进不来，这倒逼国内加速自研。SMEE赶紧组队，拉上中科院上海光学精密机械研究所、长春光学精密机械与物理研究所、清华大学和浙江大学这些单位，分头攻关。光学系统、光源、工件台和浸液模块，这些关键部件一个个国产化。举个例子，光学系统要控制193纳米波长的氟化氩激光，数值孔径得达到0.93以上，才能把分辨率压到65纳米以下。团队花了上千次模拟和调整，材料配方改了又改，热膨胀系数降到最低，避免畸变。双工件台用磁悬浮技术，精度控制在1.5纳米，测试时模拟工厂环境，振动校准搞了几个月。

2021年底，第一台样机拼出来了，内部测试发现套刻精度起初只有30纳米，不达标。工程师们加班优化算法，加入AI辅助，半年后精度提到25纳米以下。2022年7月，他们先交付了些用于芯片封装的设备，收集数据反馈，进一步调参数。供应商链子拉长到200多家，从光学玻璃到精密轴承，全是国内货，国产化率爬到70%多。2023年，SMEE正式推出SSA/800-10W型号，宣称能支持28纳米制程。这台机器用浸没式技术，水层控制在微米级，避免气泡干扰曝光。曝光速度每小时上百片晶圆，良率从70%提到92%。

到2024年上半年，设备进全面验证阶段。实验室里模拟生产线，测分辨率和套刻，热漂移控制在0.5纳米内。9月9日，工信部发文，把氟化氪和氟化氩光刻机列入推广目录，明确分辨率低于65纳米，套刻精度优于8纳米。这等于官方认可，设备能进大规模生产。第二天，SMEE公开了极紫外（EUV）相关的专利，涉及光源转换和真空系统，显示他们在往更细节点延伸。

9月23日，上海工博会上，设备参数亮出来：支持65纳米以下制程，适合大批量芯片制造。整个过程靠供应链协作，模块化设计方便升级，测试包括高温高湿环境，确保工厂适应性强。到2024年底，第一批设备小规模试产，中芯国际等厂家开始接入，产业链国产率从60%升到80%。

这进展不是天上掉下来的，背后是国家专项任务和团队协作。SMEE从干式DUV起步，逐步到浸没式，填补了从90纳米到28纳米的空白。相比ASML的NXT:2000i系列，我们起步晚，但速度不慢。供应商提供定制件，比如高纯氟化物气体和纳米滤光片，帮着解决电源稳定问题。2025年，优化继续，扩展到14纳米节点，同时EUV预研推进。专利显示，SMEE在EUV辐射生成器上有点子，目标是打破ASML垄断。不过，专家说，这还只是专利阶段，实际生产EU V设备得几年时间。

各国一看这动静，反应可大了。美国那边最先坐不住，白宫官员直说中国自主化会改写全球半导体格局。2024年9月，商务部更新条例，限制更多设备出口，还指责中国靠逆向工程搞技术。10月，有报道说中国公司拆ASML的DUV机器重装失败，找荷兰求助，这事儿让美国更警惕，推动盟国跟进。

韩国媒体像《朝鲜日报》分析，三星和SK海力士压力山大，本来靠荷兰设备稳住市场，现在中国自产DUV，可能抢走部分订单。专家建议韩国加大研发，调整供应链，避免被甩开。荷兰ASML高管在采访里讲，中国市场占他们收入大头，这进展带来不确定性，全球份额可能受影响。2024年1月起，ASML停供中端DUV给中国，部分许可证被撤销。

美国不光自己管，还拉荷兰、日本、德国和韩国一起紧缩。2024年6月，美国官员去日本和荷兰游说，进一步限芯片设备流向中国。荷兰政府有点犹豫，2024年10月宣布独立发出口许可证，不完全听美国的。

ASML确认，荷兰政府部分撤销对华DUV系统许可证，只影响少数客户。但整体看，管制升级，中国依赖度降了。韩国企业开始多元化供应链，担心市场竞争加剧。2025年，美国继续施压，盟国推三阻四，荷兰甚至挑战美欧政策，觉得过度限制伤自己企业。

说到底，这事儿让国内扬眉吐气，以前总被卡，现在有点底气。美韩荷兰不笑了，是因为格局在变，他们得重新算账。半导体竞争激烈，谁也别想独占鳌头。中国自研路子走对了，坚持下去，产业链会更牢靠。全球看，这推动技术扩散，大家都得加把劲儿创新。