天合光能申请TOPCon太阳能电池及其制备方法、光伏组件专利，有效阻挡栅线电极中的金属离子进入第二隧穿氧化层

景点排名 2025年08月05日 23:32 0 admin

金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，天合光能股份有限公司申请一项名为“TOPCon太阳能电池及其制备方法、光伏组件”的专利，公开号CN120435108A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种TOPCon太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域。TOPCon太阳能电池，包括：N型衬底硅；位于N型衬底硅的一侧面上，且沿第一方向依次层叠的第一隧穿氧化层、第一n型多晶硅层、第二隧穿氧化层；第二隧穿氧化层包括第一区域和第二区域；第一区域上设置有第一凹槽，第二区域上设置有第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽间互不相通；位于第一凹槽内的栅线电极；第一凹槽的宽度大于栅线电极的宽度。第二隧穿氧化层的阻挡呈现为凹凸形的“瓮城”结构，基于二维“瓮城”结构的阻挡，能够有效阻挡栅线电极中的金属离子进入第二隧穿氧化层。

天眼查资料显示，天合光能股份有限公司，成立于1997年，位于常州市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本217936.4548万人民币。通过天眼查大数据分析，天合光能股份有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息776条，专利信息4156条，此外企业还拥有行政许可44个。

本文源自金融界