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2025-08-08 0
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专利摘要显示,本发明公开了一种波导到基片集成同轴线的转接结构,包括底层波导层、金属化过孔、下层金属层、下层介质基片、中间粘接层、中间金属层、上层介质基片和顶层金属层,在下层金属层上设有缝隙结构,缝隙结构为方环形,下层金属层缝隙用于连接波导到基片集成同轴线,中间金属层为两条金属条带,条带是由阻抗变换结构和过渡连接基片集成同轴线导带组成,并沿波导窄边方向镜像对称。本发明能够基于多层PCB工艺实现,体积小,结构简单易于集成。本发明能够在23.6GHz‑36.4GHz的频带范围内具有良好的阻抗匹配特性和较低的插入损耗,在基片集成同轴线的两端口进行等幅反相输出,实现了42.6%的相对带宽。
本文源自金融界
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