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国产芯片的“双核突破”:从GPU性能对标到光刻胶原始创新

排行榜 2025年08月02日 20:33 0 admin

文/低空经济探索者

——砺算GPU与清华光刻胶重塑半导体竞争格局

一、显卡战场:砺算7G100撕开性能缺口

当国产GPU在《黑神话:悟空》中实现1080P高画质70帧流畅运行时,中国显卡产业迎来了历史性拐点。砺算科技发布的7G100系列,首次以全自研“天图”架构突破技术封锁:

性能硬指标:Geekbench 6.4测试111,290分的成绩,超越RTX 4060约10%,逼近英伟达新一代RTX 5060;

生态破壁战:原生支持DirectX 12/Vulkan 1.3,摆脱国产GPU依赖第三方IP授权的掣肘;

量产路线图:6nm工艺显卡计划9月量产,覆盖游戏显卡与工作站市场,直面国际中端显卡竞争。

尽管驱动优化与游戏适配仍是短板,但7G100以接近RTX 4060的FireStrike跑分(26,800分),宣告国产GPU从“可用”迈向“好用”。

国产芯片的“双核突破”:从GPU性能对标到光刻胶原始创新

二、光刻胶革命:碲元素改写EUV游戏规则

在芯片制造最前线的光刻胶战场,清华大学团队用一克黑色粉末撬动全球格局。聚碲氧烷(PTeO)材料凭借碲原子40.5倍于碳的EUV吸收率,实现三重颠覆:

精度跃升:13.1 mJ/cm²低剂量曝光下达成18纳米线宽,线边缘粗糙度(LER)压至1.97纳米,优于国际水平60%;

成本重构:配套碲回收技术实现90%材料循环,江西铜业提纯产能与八亿时空百吨树脂产线构筑国产供应链;

设备零改造:直接兼容现有EUV光刻机,为中芯国际等厂商提供“即插即用”方案。

这项突破使中国首次掌握EUV光刻胶核心技术,打破日本企业垄断5纳米以下制程的“材料铁幕”。

国产芯片的“双核突破”:从GPU性能对标到光刻胶原始创新

三、技术共振:设计端与制造端的战略握手

砺算GPU与清华光刻胶的同期突破,揭示中国半导体自主化的新逻辑:

GPU破局点:7G100瞄准1000-3000元消费级市场,以RTX 4060性能锚定“主流替代”目标,预计2025年出货量达50万片;

光刻胶破链点:PTeO材料将EUV光刻胶成本降低30%,推动国产5纳米制程良率提升,获国家大基金三期重点扶持;

产业协同轴:当自研GPU架构遇见自主光刻材料,芯片设计-制造-封装的全链条正加速闭合。

国产芯片的“双核突破”:从GPU性能对标到光刻胶原始创新

结语:从替代到定义

砺算在显卡帧率测试中跑出的每一个数字,清华实验室里碲原子捕获的每一束极紫外光,都在改写中国芯片的生存法则——不再满足于替代进口,而是以原始创新定义技术标准。当7G100显卡驱动游戏画面的光影流动,当PTeO光刻胶在晶圆上刻出比头发丝细5000倍的线路,中国半导体产业正经历从“活下去”到“飞起来”的关键一跃。

国产芯片的“双核突破”:从GPU性能对标到光刻胶原始创新

(全文基于公开技术参数与产业动态原创撰写,数据来源:砺算科技产品白皮书、清华大学Nature子刊论文、半导体行业分析报告)

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