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从反内卷视角看AI数据中心原材料涨价逻辑

今日新闻 2025年11月04日 15:52 4 admin

从反内卷视角看AI数据中心原材料涨价逻辑

核心逻辑框架

  • 需求侧：AI数据中心进入“存力竞争”，CSP与互联网巨头开启饱和式投入，对HBM、DDR5、企业级SSD形成结构性、持续性拉货，需求从“周期性波动”切换为“结构性上行”。
  • 供给侧：原厂将资本开支与晶圆产能向HBM/DDR5倾斜，DDR4/LPDDR4X等成熟节点被动收缩；HBM堆叠导致达到同等密度需消耗约3倍晶圆，叠加先进工艺扩产资本开支高、设备交付周期长，供给难以短期响应。
  • 交易机制：合约价“暂停—观望”、报价周期由季度→月度，强化价格上行预期与抢货行为，放大短期波动。
  • 反内卷效应：上游材料与制造环节强调限产稳价、产能优化、行业自律，弱化“低价内卷”，使涨价更具“粘性”和持续性。
  • 宏观传导：AI用电与配电“吃铜”，电网与数据中心基础设施改造推升对铜等大宗的边际需求，形成对数据中心硬件成本的二次传导。
从反内卷视角看AI数据中心原材料涨价逻辑

分环节涨价逻辑与证据

  • 芯片（GPU/加速芯片）
    • 供给端：台积电宣布自2026年起对5nm及以下先进制程实施四年连涨（每年约3%–10%），反映先进制程产能紧俏与成本攀升；AI芯片营收占比抬升强化龙头议价权。
    • 需求端：CSP加速扩建AI算力，GPU整柜方案与自建AI工厂推动高端芯片结构性紧缺，价格与交期“双紧”。
从反内卷视角看AI数据中心原材料涨价逻辑


  • 内存（DRAM：HBM/DDR5/DDR4）
    • 供给端：三星已对DDR5合约价暂停报价，预计至11月中旬后或恢复；行业报价周期缩短至月度；原厂将产能重心转向HBM/DDR5，HBM对晶圆消耗约为标准DRAM的3倍，挤压通用DRAM供给。
    • 需求端：AI服务器对DRAM容量需求约为传统服务器的8倍，带动DDR5与HBM同步走强；机构上调2025年Q4传统DRAM涨幅预期至18%–23%，并判断DDR5合约价上行趋势或延续至2026年。
  • SSD（企业级NVMe/NAND）
    • 供给端：三大原厂满负荷仍难解“8TB+大容量SSD”短缺，交付周期被拉长至**>1年**；NAND/DRAM四季度调价窗口打开，最高上调约30%，成本向下游传导。
    • 需求端：AI训练/推理对高并发、低时延的高IOPS需求，使SSD从“容量层”跃迁为“性能层”，近线HDD交期亦被拉长至约52周，进一步推升SSD替代与溢价。
  • 配套材料（铜等大宗）
    • 数据中心与电网改造显著抬升铜的边际需求：AI服务器用铜量较传统服务器高30%+；10MW级AI数据中心仅电力线缆用铜可达上百吨；AI与新能源、电网升级形成“三重共振”。
    • 供给端扰动与“反内卷”限产预期叠加：大型铜矿事故与冶炼环节“反对内卷式竞争”信号强化供给纪律，价格中枢抬升并向数据中心硬件成本传导。
从反内卷视角看AI数据中心原材料涨价逻辑

反内卷如何改变价格弹性

  • 限产稳价与产能优化：冶炼端“反对内卷式竞争”、倡导自律，弱化低价竞争，改善矿冶匹配度，提升价格中枢的“韧性”。
  • 资本开支纪律：上游材料与制造环节在政策与资本约束下更趋审慎，扩产节奏与低端重复建设受抑，涨价从“情绪驱动”转向“结构驱动”。
  • 行业格局重塑：具备技术与规模优势的龙头获得更高议价权，价格上行周期被拉长，波动被“有序化”。

时间窗口与观察指标

  • 2025年Q4–2026年：存储环节预计维持强势——DRAM（含DDR5）与NAND价格上行、合约价偏紧；先进制程代工价格进入多年期上行通道。
  • 关键观察： 原厂对DDR5/HBM的产能与良率爬坡节奏； CSP招采价格与合约期限变化（是否继续锁价/长协）； 大容量SSD交付周期与企业级SSD价格调整频率； 铜等大宗的库存与矿端扰动频率（罢工、事故、限产）。
  • 风险提示：若出现全球需求不及预期、技术迭代/良率不及预期、价格回落或地缘扰动，上述涨价逻辑与节奏可能弱化或阶段性反转。

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