三星芯片逆袭，更快内存超过英伟达，26年AI芯片大战即将大变天？

今日新闻 2025年09月21日 21:20 0 aa

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三星最近总算打赢了一场关键仗，它的12层HBM3E内存终于通过英伟达的认证了！要知道这事儿花了18个月，之前好几次都因为发热问题卡了壳，这次重新设计芯片核心才成功突围。

可不要小看了这一“认证”，对于三星来讲可以说是意义非凡，它不仅为三星开启向英伟达供货之门，更有力证明三星内存技术重归正轨。

而真正的重头戏还在后面：三星瞄准了2026年要量产的HBM4内存，已经能跑出11Gb/s的速度，比对手SK海力士还快。

这事儿直接搅动了AI芯片圈的格局，英伟达正靠更快内存跟AMD较劲，三星的技术突破，说不定会让2026年的AI硬件大战彻底变天。

英伟达急推HBM4超频

英伟达给2026年要出的VeraRubin平台定了个“超纲”目标，让HBM4内存的每针速度跑到10Gb/s，这比JEDEC官方定的8Gb/s标准高出一大截。

别小看这2Gb/s的差距，算笔账就明白有多关键：按官方8Gb/s算，单个HBM4堆栈在2048位接口上能跑近2TB/s。

升到10Gb/s后，单个堆栈直接冲到2.56TB/s，一块GPU装6个堆栈就能有15TB/s的带宽，整个NVL144机架更是能飙到1.7PB/s。

这么折腾核心就是为了压过AMD，AMD的下一代MI450Helios平台虽然还在规划，但已经放出消息，每块GPU最多能装432GBHBM4显存，还能靠CDNA4架构挖推理性能潜力。

英伟达想在带宽上拉开差距，就只能在HBM4速度上做文章，不过这事儿风险不小，速度一快，功耗、散热、芯片时序全成了难题。

要是实在搞不定，英伟达可能会搞“分级销售”：高端RubinCPX用10Gb/s的，普通款就用低速的，还打算错开供应商认证来提高良率，看来早留了后手。

三星终获认证

三星最近总算扬眉吐气了，它的12层HBM3E终于通过英伟达认证了，要知道这事儿花了18月。

此前多次测试皆未通过，此次终获成功，这全仰赖三星芯片负责人重新设计DRAM核心，成功攻克老问题，解决了发热这一顽疾，才让测试顺利通关。

不过这次供货量估计不多，毕竟SK海力士和美光早就先一步供货了，有业内人说“对三星来说，这更像挣面子，证明技术重回正轨”。

但三星真正的目标是下一代HBM4，为了赶超，它下了血本：用10纳米级DRAM工艺，还把基础芯片升级到4nmFinFET制程。

相较竞争对手的12nm逻辑芯片，此芯片优势显著，它更为先进，不仅能够提升运行速度，还可以有效降低功耗，为使用体验带来质的飞跃。

如今，三星已可展示高达11Gb/s的速度，比SK海力士的10Gb/s更为迅捷，而美光在这一领域暂时未能跟上二者的发展节奏，稍显滞后。

它计划最近就给英伟达送大批HBM4样品，争取早日认证，最快2026年上半年就能量产。

为了赢这场仗，三星甚至拉上台积电合作开发HBM4，看来是卯足了劲要从SK海力士手里抢份额。

三足鼎立暗战

目前HBM市场还是SK海力士说了算，它不仅是英伟达的主力供应商，还宣布HBM4已经开发完能量产，性能也能超过10Gb/s。

不过它没公布具体的功率和工艺细节，这就让三星有了可乘之机，毕竟4nm工艺的优势摆在那儿，高端市场可能更吃这一套。

美光的进度稍慢，虽然已经送出HBM4样品，接口也是2048位，带宽能超2TB/s，但到底能不能支持10Gb/s还没说，估计在高端赛道要暂时落后一步。

不过集邦咨询预测，明年HBM4刚量产的时候，SK海力士还是能稳坐头把交椅，毕竟和英伟达合作久，产能也更稳。

现在的局面挺微妙：英伟达越依赖10Gb/s的HBM4，就越受供应商良率、成本和功耗的牵制，容错空间特别小。

三星想靠技术翻盘，SK海力士守着产能优势，美光在后面追赶，再加上AMD在显存容量上虎视眈眈，2026年的AI内存战场，热闹程度绝对少不了。

而最终谁能胜出，可能还要看谁能先解决量产良率和散热的老大难问题。

结语

三星通过英伟达认证这一步，不仅为自己挣回了技术颜面，更拿到了参与下一代内存竞争的入场券。

从18个月屡试不第到攻克发热难题，这场“翻身仗”让它在HBM赛道重新拥有话语权。

而其HBM4内存11Gb/s的速度优势，更给2026年的AI芯片大战埋下变数。

对英伟达而言，这是对抗AMD的重要筹码；对行业来说，三星的崛起打破了SK海力士一家独大的格局。

接下来就看HBM4量产能否顺利落地，不过可以肯定的是，三星这次逆袭，已经让明年的AI硬件比拼充满了更多悬念。

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