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在当前全球半导体产业格局深刻变革的背景下,我国高端装备自主化进程迎来里程碑式突破。近日,鑫巨(深圳)半导体科技有限公司(以下简称:鑫巨半导体)成功向国内某头部客户交付了首台完全自主研发的电化学沉积设备(ECD),并凭借该设备实现了量产需求下的高良率小批量生产。这不仅标志着我国在高端半导体关键工艺装备领域实现重大突破。更在决定下一代芯片性能的“玻璃基板”新赛道上,具备了与国际先进水平同台竞技的实力与底气,为保障国家产业链供应链安全稳定注入了强劲动能。
据悉,本次交付的ECD设备及其配套的VCL刻蚀设备,均由鑫巨半导体自主完成研发,其中软硬件均全部自研,技术路线与应用方向均属于全新突破。该设备将应用于下一代先进封装的核心载体——玻璃基板。随着摩尔定律逼近物理极限,芯片性能提升路径正逐步从“制程微缩”转向“封装革命”。玻璃基板凭借其超低翘曲度、超高表面平整度以及优异的高频电学特性,成为2.5D/3D集成、芯粒(Chiplet)互连的理想选择,可实现互连密度提升10倍、功耗降低30%,为AI训练与推理芯片、高带宽存储(HBM)、光子集成等高端器件提供关键支撑。值得一提的是,该ECD设备在玻璃基板制造中的精度控制,是目前AI芯片载体加工中难度最高、最为关键的制造工艺环节。
该设备在技术上具备高度兼容性,支持12英寸圆形玻璃芯片以及310×310mm、515×510mm、610*610mm等大尺寸方形玻璃基板,具备RDL 2微米线宽/线距与TGV 深孔填充1:20深宽比的量产稳定性,技术指标达到国际先进水平,部分关键性能甚至优于国外同类产品。这标志着中国半导体产业链在“玻璃基板新赛道”上,首次具备与国际巨头同步竞争、甚至实现局部领先的能力。
从底层架构到控制系统,从工艺模块到整机集成,鑫巨半导体坚持完全正向开发,建立起完善的核心技术体系和自主知识产权布局,真正实现了从“0”到“1”的跨越。这一成果不仅夯实了我国高端装备制造的自主根基,也为产业链供应链安全提供了有力保障。
鑫巨半导体相关负责人表示,“未来鑫巨半导体将继续秉持开放合作的理念,深化与国内外产业链伙伴的协同创新,积极参与国家重大技术攻关,持续打造更多具有自主知识产权的高端半导体装备,为构建安全、可控、先进的半导体产业生态贡献更多力量。”
编辑:侯宜均
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