舍弗勒申请通过铸造获得的热耗散器和关联的半导体装配件专利，一种具有特殊结构的热耗散器

今日快讯 2025年08月04日 21:23 0 admin

金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，舍弗勒技术股份两合公司申请一项名为“通过铸造获得的热耗散器和关联的半导体装配件”的专利，公开号CN120418957A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种热耗散器(2)，具有：基底，其旨在与待冷却的电子设备热接触；冷却鳍片(6)，其沿着主方向延伸并且具有至少一个顶杆(8)。在该耗散器中，与相邻的两个鳍片(6)对应的两个顶杆(8)被偏移，即它们不是关于鳍片(6)的主方向相面对的，并且在至少一个顶杆(8)附近，与关联于所述顶杆(8)的鳍片相邻的鳍片(6)具有起伏，起伏具有被布置成面对所述顶杆(8)的凹区域(18)。

本文源自金融界