三星2纳米GAA制程加速推进，目标2025年底实现70%良率

今日快讯 2025年10月23日 11:44 0 aa

【TechWeb】据报道，三星电子近期在先进半导体技术领域展现出强劲的信心，特别是对其2纳米GAA制程的进展高度乐观。在由总统办公室政策首席Kim Yong-beom主持的一次半导体产业会议上，三星设备解决方案部门总裁兼技术长Song Jae-hyuk对2纳米GAA制程给出了极高的评价，暗示公司正顺利实现其预期的2纳米制程良率和芯片性能目标。

三星晶圆代工业务近年来一直被台积电大幅领先市场份额，但目前情况似乎有所转变。三星已将2纳米GAA的良率目标从原定的50%大幅提高至70%，并计划在2025年底实现这一目标。知情人士透露，这一调整反映了三星对其2纳米制程技术的高度自信。

Song Jae-hyuk在会议上表达了三星的雄心壮志，希望借助2纳米GAA节点的成功，最终在全球晶圆代工市场中夺取第一的位置。不过他也坦言，在追赶台积电以及应对技术和人力挑战方面，公司需要政府提供强有力的支持。

三星首款采用2纳米GAA技术的芯片将是其自研Exynos 2600，据初步的内部测试结果显示，Exynos 2600性能超越了竞争对手苹果的A19 Pro和高通的第五代骁龙8至尊版。该芯片预计将搭载于2026年发布的Galaxy S26系列手机中，采用10核CPU架构，包括一个超大核、三个大核和六个小核，并在图形处理方面集成了全新的Eclipse 960 GPU，据称其性能比高通当前旗舰骁龙8 Elite所搭载的Adreno 830 GPU高出约15%。

值得注意的是，三星的第二代2纳米制程SF2P工艺已完成工艺设计套件开发，与第一代相比实现了性能提升12%、功耗降低25%和芯片面积减少8%的三重优化。然而，分析师指出SF2P目前的良率约为40%至50%，仍低于台积电N2工艺的70%以上。

此外，三星位于美国德克萨斯州的泰勒工厂原计划生产4纳米制程芯片，后升级到2纳米以与台积电和英特尔竞争。尽管该工厂面临客户需求不足等挑战，三星仍坚持推进这一战略布局，显示其对2纳米制程技术的坚定信心。（Suky）