谁说半导体都拼算力？当AI席卷一切，算力似乎成了半导体领域的唯一主角。但有一类芯片偏偏不凑这个热闹，其既不参与算力竞争，也不依赖先进制程，甚至对光刻机...
2025-10-12 0
业绩激增1200%，士兰微，火力全开！
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2025年10月12日 01:19 0
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谁说半导体都拼算力？
当AI席卷一切，算力似乎成了半导体领域的唯一主角。
但有一类芯片偏偏不凑这个热闹，其既不参与算力竞争，也不依赖先进制程，甚至对光刻机都没有需求，性能的飞跃靠特色工艺的打磨和材料创新。
正因如此，这类芯片在半导体国产化的过程里，反而率先有望杀出重围！
这就是功率半导体！
简单说，功率半导体不像CPU那样精于复杂计算，主要功能是对电能进行转换和控制。比如，手机充电的过程里，就是功率半导体把墙上的交流电转化成手机电池需要的直流电。
而且，功率半导体是个大家族，从基础的单向阀功率二极管，到高频高速的MOSFET和驾驭高压大电流的IGBT，再到碳化硅（SiC）等新材料，各有绝活。
即使是一个小充电器的内部，也往往含有多颗MOSFET、二极管等功率半导体，配合管理着电力。
如今，无论是汽车、光伏、家用电器还是消费电子等领域，功率半导体几乎遍布所有用电的场景，可以说是一切现代电气设备的隐形支柱！
更重要的是，当前全球功率半导体市场是百花齐放的，即便英飞凌，安森美居于前列，但2024年两龙头的合计市占率只有26%，不像逻辑、存储芯片那样形成垄断格局。
这就给我国企业带来了难得的竞争缝隙。
再加上近年来国内在新能源汽车、光伏和5G等下游产业一路高速奔跑，更为国内企业提供了强劲的需求牵引。
如今来看，我国企业已然在功率半导体市场撕开了口子。截至2024年底，功率半导体整体的国产化率已经冲到15%-20%，技术门槛更高的IGBT和SiC功率器件领域更是有近35%！
在这一进程中，华润微、士兰微和扬杰科技等力量都功不可没，这几家企业都已经在中低压MOSFET、IGBT等领域实现规模化量产，逐步斩下国产替代的份额。
其中，士兰微的进击势头，尤为强势！
要知道，2024年，全球功率半导体的市场规模达323亿美元，这样一个群狼环伺的环境里，士兰微竟以3.3%的份额杀进了全球第六，是前十榜单上唯一的国产面孔。
而且，2025年半年报显示，士兰微实现营收63.36亿元，同比增长20.14%；净利润则实现2.65亿元，同比猛增了1162.42%！这背后，便离不开功率半导体和分立器件的支撑。
问题来了，士兰微做对了什么？
一来，IGBT和SiC同时押注。
我们知道，传统IGBT是基于硅材料的复合器件，而SiC（碳化硅）作为第三代半导体材料，物理特性的优势是压倒性的。
SiC的热导率是硅的3倍以上，电子饱和速度是硅的2倍，击穿电场强度更是硅的8倍。这就让SiC天生耐高温高压，适合高频高效的场景，成本自然也更高。
如今来看，技术代差直接划定了两者的主战场。
一边是IGBT坚守性价比，在中低端车型、家用空调等领域牢牢盘踞；一边就是SiC主攻高端，在800V高压平台、高端电源等场景持续向上突破。
而面对技术路线分化，士兰微直接选择了全都要，IGBT与SiC齐头并进。
在IGBT方面，士兰微自主研发的IGBT至今已迭代了5次，凭借实力进入了比亚迪、吉利和零跑等车企供应链，最新一代IGBT已经对海内外的知名模块封装厂实现批量供应。
在SiC方面，士兰微同样势如破竹，其第Ⅱ代SiC-MOSFET芯片所生产的电动汽车主驱动模块，已经累计出货2万颗，第Ⅳ代SiC芯片和模块也已送样评测，技术节奏咬紧先进步伐。
这背后，是士兰微对研发的重注！
2020-2024年，其研发费用从4.29亿元增至10.34亿元，2025年上半年也达到4.78亿元，而且研发费用率常年保持在10%左右，整体水平高过扬杰科技、新洁能等同行。
要知道的是，过去为了抢占市场份额，士兰微本就牺牲了部分利润空间，加上承受了发光二极管产品的亏损，2023年以来其毛利率只在20%左右，比扬杰科技、华润微都要低。
就在这种局面下，士兰微仍不减研发，也足以看出对技术迭代的执着程度。
二来，走IDM模式，掌握产能命脉。
IDM模式，简单说就是从芯片设计、晶圆制造到封装测试，全产业链一手抓。相比轻资产的Fabless模式，IDM能使企业实现供应链自主。
士兰微之所以敢在IGBT和SiC上双线投入，或许也是得益于其走IDM模式的底气。
2025年上半年，随着产品在新能源汽车、光伏等市场持续放量，士兰微的产线火力全开，8英寸、12英寸的IGBT芯片产能都实现了满载。
不仅如此，2025年半年报显示，其子公司士兰明镓已经形成了月产1万片6英寸SiC-MOSFET能力，产能规模杀进国内第一梯队。
2025年上半年，士兰微的功率半导体与分立器件业务的营收达30.08亿元，同比增长了25%。其中汽车、光伏的IGBT和SiC模块营收同比增幅超80%，是拉动增长的重要引擎。
这还只是开始。
为了承接中远期新能源汽车和光伏储能等市场的需求，士兰微已经安排技改资金进一步提升12英寸IGBT的产能；子公司士兰集宏更预计在2025年第四季度实现8英寸SiC的大线通线。
后面随着产能继续爬坡、技术不断突破，士兰微也有望成为国产替代中最锋利的刀刃之一！
当然，IDM从来不是轻松的路。
IDM模式的确能实现好的产业协同，但高投入是与生俱来的负担，毕竟这种模式需要投入巨额资金建设晶圆产线。也因此，2022年开始士兰微的资本开支就爬上了10亿元的大关。
随之而来的就是高折旧。
随着厂房设备逐步转为固定资产，相关成本不会一次性计入，而会以折旧的形式持续摊销多年。哪怕工厂不运转，这笔费用也照常发生，直接侵蚀利润。
反映在数据上，2020-2024年间，士兰微的折旧摊销总额从4.66亿元快速增至12.58亿元，年复合增速高达28.18%。
2025年上半年，其折旧摊销费用也有6.9亿元，拖累净利率达到2.1%，盈利能力显得薄弱。
不过话又说回来，用现在的投入换未来的自主，这或许也是士兰微必须经历的战略性阵痛。
未来，要是士兰微能进一步承接实现需求完成产能爬坡，等到规模效应显现，其现在被折旧侵蚀的利润，也有望转化为业绩释放的弹性。
总之，国产替代的路上，士兰微不会止步。
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