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AI算力不再卡脖子 纯国产二维-硅基混合芯片问世 数据存取快如闪电

今日快讯 2025年10月10日 17:31 0 aa

当AI大模型一天吞噬800TB数据,当自动驾驶每秒需要处理10GB信息,传统存储器正用“龟速”拖慢整个数字时代的脚步。就在10月8日,复旦大学周鹏-刘春森团队在《自然》扔下一颗“重磅炸弹”——全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片问世,不仅以400皮秒的速度创下存储技术新纪录,更攻克了二维材料与CMOS集成的世纪难题,良率飙至94%。这不是实验室里的“纸上谈兵”,而是中国在半导体“无人区”竖起的第一块路标,为AI时代的数据洪流打开了高速闸门。

AI算力不再卡脖子 纯国产二维-硅基混合芯片问世 数据存取快如闪电

一、存储瓶颈:数字时代的“肠梗阻”

今天的算力竞赛,本质是数据存取速度的较量。AI训练需要海量数据“喂饱”模型,自动驾驶需要实时响应路况,这些场景对存储器的要求早已超越“够用”,而是“极致”——更快的读写速度、更低的能耗、更高的集成度。但传统存储器体系像个“多层货架”:CPU要数据,得先从硬盘调到内存,再从内存到缓存,层层搬运中,90%的算力都耗在了“等待”上。

更要命的是,传统闪存的物理极限已近在眼前。3D NAND通过堆叠提升容量,但每多叠一层,速度和功耗的平衡就更难维持,像个“越吃越胖的胖子”,跑不动还费油。数据显示,当前顶级闪存的读写延迟约10微秒,而AI芯片的计算周期已进入纳秒级——存储器成了整个算力链条的“肠梗阻”。

这就是为什么周鹏-刘春森团队的突破如此关键:他们不是在传统技术上“修修补补”,而是直接换了“发动机”。今年4月,团队的“破晓”原型器件已实现400皮秒(1皮秒=万亿分之一秒)的超高速存储,相当于1秒内完成2.5亿次数据读写,是现有最快半导体存储技术的10倍以上。而这次的混合架构芯片,更是把实验室的“单点突破”变成了“系统可用”的芯片级解决方案。

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二、原子级创新:让“蝉翼”贴合“城市”

二维材料被视作下一代半导体的“希望”,但它有个致命弱点:“娇气”。厚度仅1-3个原子,比蝉翼还薄,稍有磕碰就会破裂。而CMOS电路表面像个微缩“城市”,有晶体管“高楼”,有绝缘层“平地”,凹凸不平。要把“蝉翼”铺在“城市”上,还不能破坏材料性能,这曾被业内认为是“不可能完成的任务”。

全球科学家的思路大多是“改造城市适应蝉翼”——打磨CMOS表面,让它变平。但复旦团队反其道而行之:“没必要改CMOS,要改的是我们怎么用二维材料。”他们发现,二维材料本身具有一定柔性,像极薄的塑料膜,能通过“柔性贴合”适应凹凸表面。于是,团队设计出“模块化集成方案”:先在平整衬底上做好二维器件“模块”,再通过特殊工艺转移到CMOS“城市”上,让材料像“创可贴”一样紧密贴合每个凹凸点。

这个看似简单的思路,背后是5年的试错。团队用原子力显微镜观察发现,当二维材料以“柔性贴合”方式接触CMOS时,材料应力能分散到整个表面,破裂率从传统方法的50%以上骤降至不足6%。最终,芯片良率突破94%——这个数字意味着,从实验室到量产,只差“放大”这一步。

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三、从“原型”到“产品”:中国源技术的突围路径

在半导体领域,“实验室突破”到“产业落地”的距离,往往比从0到1更远。很多技术死在了“工程化”环节:良率低、成本高、与现有产线不兼容。但复旦团队从一开始就没走“闭门造车”的路。

他们的目标很明确:“不做只能发论文的样品,要做能进产线的芯片。”所以,团队没有另起炉灶搞全新架构,而是选择“融入”现有CMOS生态——这是全球半导体产业的“高速公路”,兼容CMOS,就意味着能借用成熟的制造体系,降低量产难度。这次混合架构芯片的成功,证明二维材料完全可以“搭便车”,在现有产线上实现大规模集成。

更关键的是,团队已经规划好了“时间表”:3-5年实现兆级(百万级)芯片集成,期间产生的知识产权和IP将授权给企业。这不是“画饼”,而是有底气的布局——94%的良率已接近商用标准,模块化集成方案可直接对接现有CMOS产线,无需企业重建产线。这种“自主主导+开放授权”的模式,既能保证技术主权,又能快速推动产业落地。

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四、通用存储:要革谁的命?

团队在论文中提到一个更“大胆”的愿景:让通用型存储器取代多级分层存储架构。什么是“通用型存储器”?简单说,就是“一个货架装所有东西”——兼具硬盘的容量、内存的速度、缓存的响应,CPU直接“伸手就拿”,省去层层搬运。

如果实现,整个计算架构将被重构。现在的手机需要“内存+存储”双芯片,未来可能一颗通用存储器就够了;AI服务器的“内存墙”将被打破,训练效率可能提升10倍以上;甚至自动驾驶的“延迟焦虑”也会缓解,因为数据不再“绕路”。

这不是空想。二维材料的特性决定了它能兼顾速度与容量:原子级厚度让电子传输更快,二维结构便于堆叠提升容量,柔性贴合又解决了集成难题。产业界已经敏锐地嗅到了机会:“这可能在3D应用层面带来颠覆性市场。”想象一下,当手机存储从“GB”跃升到“TB”,同时读写速度比现在快100倍,AR/VR、元宇宙等场景的体验将彻底改变。

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五、中国芯的“源技术”底气

过去,中国半导体产业常被贴上“跟随者”标签:别人做什么,我们跟着做;别人卡脖子,我们就受限。但这次二维-硅基混合架构芯片的突破,是实打实的“源技术”创新——从底层原理到核心工艺,完全自主可控。

“源技术”的价值,在于掌握规则制定权。就像当年荷兰ASML凭借EUV光刻机定义了先进制程标准,今天中国团队的二维闪存,有可能重新定义存储技术的“游戏规则”。当全球存储厂商都要参考中国团队的IP设计芯片时,“卡脖子”的时代自然就过去了。

更难得的是,这次突破不是“单点闪光”,而是“体系化能力”的体现:从材料基础研究(二维半导体),到器件工艺创新(柔性贴合),再到工程化路径规划(产学研协同),中国已经形成了“基础研究-技术突破-产业落地”的完整链条。这才是真正的“硬实力”——不是靠买技术、挖人才,而是靠自己的科研体系,在无人区蹚出一条路。

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给数字时代装上“中国引擎”

400皮秒有多快?快到光在这段时间里只能跑0.12毫米。但这0.12毫米的突破,可能让整个数字时代“提速”。当二维闪存成为AI、大数据的标准存储方案,当通用型存储器重构计算架构,我们今天习以为常的“卡顿”“等待”,或许会像当年的“拨号上网”一样,成为历史。

复旦团队的故事告诉我们:真正的科技突破,从来不是“灵光一闪”,而是“十年磨一剑”的坚守——5年试错,从“破晓”器件到混合架构芯片,从原子级材料到兆级集成规划。这背后,是中国科研人员在半导体领域从“追跑”到“并跑”,再到“领跑”的决心。

未来已来。这颗二维闪存芯片,不仅是中国芯的“里程碑”,更是数字时代的“新引擎”。而我们,正站在这场存储革命的起点上。

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