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格罗方德取得高电子迁移率晶体管的结构及相关方法专利

今日新闻 2026年05月08日 06:02 17 aa

金融界2025年6月27日消息,国家知识产权局信息显示,新加坡商格罗方德半导体私人有限公司取得一项名为“高电子迁移率晶体管的结构及相关方法”的专利,授权公告号CN113629139B,申请日期为2021年05月。

本文源自金融界

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