三星HBM3内存获得英伟达认证，终于赶上SK海力士与美光

今日新闻 2025年09月23日 17:09 0 aa

三星的12层HBM3E芯片终于通过了英伟达的资格测试，可用于高端人工智能加速器。在这一消息传出后，三星的股价上涨超5%，因为这一认证意味着三星正在迎头赶上SK海力士和美光，这两家公司此前已经在向英伟达销售HBM3E芯片了。

这一认证是在三星HBM3E开发完成大约18个月，以及多次认证延迟之后到来的。据报道，三星要到2026年才开始向英伟达大量销售HBM3E芯片，因为目前对这种高速芯片的订单正在由SK海力士和美光履行。

HBM3是目前可用的最高等级的内存芯片，包含12层，比标准HBM3的8层有所增加，这种配置使得每个芯片堆的带宽达到1.2TB/s。据报告，三星的HBM3内存芯片预计将很快进入英伟达的DGX B300显卡，获得英伟达的最终认证。至于AMD，三星已经在为Instinct MI350显卡销售HBM3E芯片，与美光并驾齐驱。

尽管HBM3E问世还不到一年，但人工智能的发展速度不等人。人们已经将目光投向了HBM4，这一规格将芯片的总线宽度翻倍，从而使得每个芯片堆的带宽达到大约2TB/s。值得一提的是，尽管JEDEC的HBM4规格要求每个引脚的速率为8Gbps，但三星、SK海力士和美光这三大主要内存制造商都计划在量产芯片中将每个引脚的速率提高到10-11Gbps，这据说是由于英伟达的压力。得益于采用3-4纳米的制造工艺（从10纳米降低），预计HBM4将提供更高的容量，每个芯片达到64GB（从48GB提升），同时功耗将降低20-30%。