比EUV更先进的光刻机，有了新进展，中国能否实现突破？

AI科技 2025年10月27日 04:09 0 admin

光刻机是制造芯片的核心设备，ASML公司凭借EUV光刻机在行业内占据主导地位。

目前，ASML已推出第二代EUV光刻机，数值孔径（NA）达到0.55，被称为High NA EUV；而第三代Hyper NA EUV（NA=0.77）仍处于研发阶段，能否成功尚无定论。

NA值直接影响光刻机性能。NA越大，光斑越小、分辨率越高，能制造更先进的芯片。

但提升NA需研发更复杂的光学元件，成本高达数十亿美元且存在失败风险。

因此，科学家开始探索新路径——采用更短波长的光线。现有EUV光刻机使用13.5nm波长光线，若改用6.5-6.7nm波长的软X射线（Soft X ray），理论上无需提高NA即可提升分辨率，这就是“Beyond-EUV”技术方向。

研究显示，6.5-6.7nm波长光线同样具备高反射特性，可通过钆激光等离子体等方法产生。尽管当前技术稳定性不足，但已证明其可行性。

不过，这一波长的光线易被物质吸收，传统EUV光刻胶无法使用，需重新研发适配的光刻胶材料，这成为技术落地的关键挑战。

相比强行提升NA值，采用更短波长光线被认为更具可行性。若能解决光刻胶问题，低NA值下也能实现高分辨率，未来再结合NA值提升，可推动光刻技术进一步突破。

EUV光刻机的成功让ASML成为行业霸主，而Beyond-EUV技术的诞生或将重塑竞争格局。中国在EUV光刻机研发上起步较晚，但Beyond-EUV提供了新的机会窗口。国内科研机构已开始布局相关技术研究，能否抓住这次技术变革实现逆袭，还需时间验证。

当前，中国芯片产业在上游设备、材料等领域仍存在短板，但面对Beyond-EUV这一前沿方向，行业正积极投入资源。

尽管挑战巨大，但若能在关键技术上取得突破，中国或有机会在下一代光刻机赛道上占据一席之地。毕竟，技术变革往往带来新的竞争机会，谁能抓住，谁就可能成为下一个时代的领跑者。

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