罗姆申请SiC半导体装置专利，SiC半导体装置包括第一导电型的第一SiC层等结构

排行榜 2025年08月02日 14:34 0 admin

金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，罗姆股份有限公司申请一项名为“SiC半导体装置”的专利，公开号CN120419308A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，SiC半导体装置包括：第一导电型的第一SiC层，其具有沿层叠方向的第一轴通道；第一导电型的第二SiC层，其具有沿所述层叠方向的第二轴通道，层叠在所述第一SiC层之上；第二导电型的第一区域，其在剖视时在所述第一SiC层内沿所述第一轴通道延伸，在俯视时在第一延伸方向上延伸；以及第二导电型的第二区域，其在剖视时在所述第二SiC层内沿所述第二轴通道延伸，在俯视时以与所述第一区域交叉的方式在与所述第一延伸方向交叉的第二延伸方向上延伸。

本文源自金融界