高通据传将采用台积电2nm“N2P”工艺两代，首款产品为明年推出

抖音热门 2026年05月13日 17:57 8 aa

骁龙8 Elite Gen 5是高通最后一款采用3nm工艺制造的旗舰芯片组，这只意味着这家圣地亚哥公司将转向台积电更新、尖端的2nm节点，只是这一次，它将不是N2版本，而是N2P版本。显然，正如多篇报道所重申的以下信息，这种过渡不会便宜，这可能是高通传言不仅在明年的骁龙8 Elite Gen 6上使用上述光刻技术，而且在其继任者骁龙8 Elite Gen 7上也使用上述光刻技术的核心原因。

这个谣言是由@reikaNVMe发布的，声称高通不打算在骁龙8 Elite Gen 6和骁龙8 Elite Gen 7上超越台积电的2nm“N2P”技术，但这里有一个有趣的部分。这家台湾半导体制造商计划在今年晚些时候开始量产2nm“N2”节点，但根据最新的传言，高通公司的目标是采用更先进的两代制造工艺。

对于那些不知道的人来说，台积电的2nm“N2P”架构利用了与N2相同的设计规则，但在相同的时钟速度下，性能提高了5%，功耗降低了5%。高通对骁龙8 Elite Gen 6和骁龙8 Elite Gen 7的意图似乎是在保持升级效率的同时，通过提高核心频率来挤压每一点性能。

奇怪的是，在X上的新文章中没有提到高通和三星合作利用后者的2nm GAA工艺。据悉，三星电子将在今年下半年推出用于Galaxy S26系列的Exynos 2600芯片，这将是首款采用上述光刻技术量产的SoC。如果与三星达成协议，高通将获得一些谈判空间，在明年选择使用N2P晶圆时，可以要求台积电做出让步。

毕竟，据说高通和联发科都为Snapdragon 8 Elite Gen 5和Dimensity 9500的3nm“N3P”晶圆支付了高达24%的费用，而台积电估计将其2nm工艺的价格提高50%，这家芯片组制造商绝对需要积极采用双源做法，以大幅降低其制造成本。

三星已经完成了其第二代2nm GAA节点（也称为SF2P）的基本设计，所以高通可能会在未来给该公司一个机会。现在，我们强烈建议读者对这个谣言持保留态度，等待更多的更新。